自旋電子器件制造工藝獲新突破

2023-03-24 07:48:03

每經AI快訊，美國明尼蘇達雙城大學研究人員和國家標準與技術研究院（NIST）的聯合團隊開發(fā)了一種制造自旋電子器件的突破性工藝，該工藝有可能成為半導體芯片新的行業(yè)標準。半導體芯片是計算機、智能手機和許多其他電子產品的核心部件，新工藝將帶來更快、更高效的自旋電子設備，并且使這些設備比以往更小。研究論文發(fā)表在最近的《先進功能材料》上。（科技日報）

責編王曉波

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