每經(jīng)訊，據(jù)啟信寶，新三板創(chuàng)新層公司硅烷科技（838402）新增專利信息，專利權(quán)人為硅烷科技，發(fā)明人是梁正、孟國均、李建設、呂永峰、郭蕊、錢光凝、儀得志、陳源茂、劉紀江、丁遠清。專利授權(quán)日為2022年7月1日，專利名稱為“一種可促進區(qū)熔級多晶硅均勻致密沉積的硅烷熱分解爐”，專利類型為中國實用新型專利，專利申請?zhí)枮镃N202220547708.9。

該專利摘要顯示：本實用新型公開了一種可促進區(qū)熔級多晶硅均勻致密沉積的硅烷熱分解爐，包括鐘罩和底座；鐘罩為帶有冷卻介質(zhì)夾套的雙層結(jié)構(gòu)，其下部為圓筒型、上部為橢圓形型；底座為帶冷卻介質(zhì)夾套的雙層圓盤形結(jié)構(gòu)；鐘罩扣在底座上，形成甲硅烷熱分解爐的內(nèi)腔體，且在內(nèi)腔體中設置有硅棒、甲硅烷供給機構(gòu)和熱分解冷卻機構(gòu)，所述硅棒與石墨電極連接，其中熱分解冷卻機構(gòu)設置在硅棒外側(cè)，甲硅烷供給機構(gòu)設置在硅棒與熱分解冷卻機構(gòu)之間；本分解爐通過甲硅烷供給機構(gòu)和熱分解冷卻機構(gòu)的設置，能夠?qū)崿F(xiàn)對硅棒的均勻吹氣和溫度控制，達到相變沉積過程中硅烷均勻供氣與多相界面處反應物均勻分布，進而提高硅棒的生長質(zhì)量，使生長層致密均一，具有結(jié)構(gòu)簡單、控制效果好的特點。

(記者 周宇翔)

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